溫度控制高溫介電溫譜測試儀
產(chǎn)品優(yōu)勢
目前國內(nèi)高溫加熱大都為管式爐或馬弗爐,主要原理為加熱絲或硅碳棒對爐體加熱,加熱與降溫過程速度慢,效率低。
華測儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)高精度,高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置,在高速加熱及高速冷卻時(shí),具有良好的溫度分布??蓪?shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū),高速加熱、高速冷卻,用石英管保護(hù)加熱試樣,無氣氛污染??稍诟哒婵?,高純度氣體中加熱。設(shè)備可組成均熱高速加熱爐,溫度斜率爐,階段加熱爐。 它提高了加熱試驗(yàn)?zāi)芰ΑM娮锠t和其他爐相比,紅外線反射爐節(jié)省了升溫時(shí)間和保持時(shí)間及自然冷卻到室溫所需時(shí)間,在試驗(yàn)中也可改寫設(shè)定溫度值。從各方面講,都節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間并提高實(shí)驗(yàn)速度。同高頻爐相比,不需特殊的安裝條件及對加熱試樣的要求。同電阻爐一樣安裝簡單,有冷卻系統(tǒng)**可靠。以提高試驗(yàn)人員的工作效率,實(shí)現(xiàn)溫度控制操作!
溫度控制高溫介電溫譜測試儀的優(yōu)勢
1、溫度高精度控制
近紅外鍍金聚焦?fàn)t和溫度控制器的組合使用,可以準(zhǔn)確控制樣品的溫度(遠(yuǎn)比普通加溫方式)。此外,冷卻速度和保持在任何溫度下可提供高精度。
2、高速加熱與冷卻方式
高能量的紅外燈和鍍金反射方式允許高速加熱到高溫。同時(shí)爐體可配置水冷系統(tǒng),增設(shè)氣體冷卻裝置,可實(shí)現(xiàn)快速冷卻。
3、不同環(huán)境下的加熱與冷卻
加熱/冷卻可用真空、氣氛環(huán)境、低溫(高純度惰性氣體靜態(tài)或流動),操作簡單,使用石英玻璃制成。紅外線可傳送到加熱/冷卻室。
產(chǎn)品參數(shù)
1.模式選擇:根據(jù)等效電路可選擇并聯(lián)模式和串聯(lián)模式
2.測量方式:軟件可進(jìn)行介電溫譜與介電頻譜
3.溫度設(shè)置:可設(shè)置升溫速度、降溫速度、溫度、測量等待時(shí)間等
4.測量參數(shù):ε介電常數(shù)、(ε'、ε''介電常數(shù)實(shí)部與虛部)、C電容、(C’、C''電容實(shí)部與虛 部、D損耗、R電阻、(R'、R''電阻實(shí)部與虛部)、Z、(Z'、Z''阻抗實(shí)部與虛部)、 Y導(dǎo)納、Y’、Y''(導(dǎo)納實(shí)部與虛部)、X電抗、Q品質(zhì)因數(shù)、cole-cole圖譜、機(jī)電耦合系數(shù)Kp等
5.測量頻率:軟件可設(shè)置測試的頻率
6.數(shù)據(jù)處理:測量數(shù)據(jù)生成Excel及pdf兩種文件格式
7.溫度范圍:RT-800 (1650°)
8.控溫精度:±0.25℃
9.升溫斜率:10℃/min(可設(shè)定)
10.測試頻率:10Hz~120MHz
11.加熱方式:近紅外加熱
12.冷卻方式:水冷
13.輸入電壓:220V
14.樣品尺寸:φ<25mm,d<4mm
15.電極材料:鉑金
16.夾具輔助材料:99氧化鋁陶瓷
17.絕緣材料:99氧化鋁陶瓷
18.測試功能:介電溫譜、頻譜
19.數(shù)據(jù)傳輸:4個(gè)USB接口
20.設(shè)備尺寸:600×500×350mm
應(yīng)用領(lǐng)域
華測溫度控制高溫介電溫譜測試儀應(yīng)用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學(xué)性能研究等。可以測量陶瓷材料的高溫介電常數(shù),了解其在不同溫度、頻率下的電學(xué)性能。
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